Выращивание огурцов в теплицах
Рассада огурцов
Огурцы для зимне-весеннего срока выращивания — это промышленные гибриды, возделываемые в тепличных комбинатах в остекленных обогреваемых теплицах с января по июль (III -IV световая зона). Для овощеводов-любителей они представляют практический интерес как наиболее теневыносливые для выращивания в комнатных условиях на подоконнике в ранние сроки.
В данную группу входят: F1 Манул, F1 Марафон, F1 Эстафета, F1Атлет, F1 Бакс, F1 ТСХА-575, ТСХА-2693, F1 Олимпиада, F1 Тайга, F1Камчатка, F1 Сахалин и др.
Гибриды-опылители: F1 Гладиатор, F1 Геркулес, F1Казанова, F1 Левша, F1 Горностай и др., партенокарпические: F1 ТСХА-442, F1Сенатор, F1 Модуль, F1 Доротея, F1Регтайм, F1 Ибн Сина, F1 Азия, F1 Берендей и др. Оптимальный срок посева данных гибридов — вторая декада ноября. Посев проводят с таким расчетом, чтобы начать высадку рассады на постоянное место 15—30 декабря (примерно через 28—30 дней от появления всходов).
Выращивание рассады проводят посевом семян непосредственно в горшочки (объемом 0,7—0,8 л) с рассадной смесью или с пикировкой. Наиболее часто в качестве субстрата используют верховой торф и торфосмеси. Рассадная смесь должна обладать хорошей водоудерживающей способностью, хорошей способностью к аэрации и относительной химической инертностью.
Количество семян рассчитывают исходя из густоты стояния растений, площади теплиц и страхового фонда 10—15%. Для посева используются семена со всхожестью не менее 90%. Т.к. многие возбудители болезней овощных культур могут сохраняться с семенами, то необходимо проводить их протравливание или обеззараживание. Обеззараживают семена огурца термическим (по методу Вовка) и химическим способами. Обычно на 1000 м2 расходуется 100—115 г семян огурца основного гибрида и 10—5 г семян гибрида-опылителя. Как правило, семена гибрида-опылителя высевают раньше на 2—3 дня основного гибрида.
Для получения более дружных и выровненных всходов рекомендуется проводить посев семян в специальные посевные ящики с рассадной смесью. Посев в ящики приводят под маркер. Расстояние между рядками 2 см, в ряду между семенами 2 см. Сверху семена присыпают просеянной рассадной смесью слоем 1,0-1,5 см, в зависимости от физической массы рассадной смеси. Сверху посевные ящики накрывают полиэтиленовой пленкой для поддержания постоянной температуры и влажности до появления всходов. Всходы появляются через 3—4 суток. При появлении 10—15% всходов пленку снимают и включают досветку. К пикировке приступают на 4—5 день от появления всходов. Сеянцы с сильно деформированными и уродливыми семядолями и слабой корневой системой выбраковываются. Лучше проводить выбраковку по первому настоящему листу. Сеянцы пикируют в пролитые раствором горшки с рассадной смесью, заглубляя их до семядольных листочков, с целью получения крепкой рассады с небольшим подсемядольным коленом. При выращивании на минеральной вате сеют непосредственно в кубики из минеральной ваты, размером 36 х 36 х 40 мм, присыпая вермикулитом, или в мультиблоки, а затем делают перевалку в кубик большего размера.
После пересадки сеянцев в горшочки — на 1 м2 располагается до 70 горшочков со средним диаметром 12 см. За время выращивания рассады огурца производится 2—3 расстановки растений с окончательной густотой растояния 20—22 шт/м2. Способ выращивания рассады через пикировку позволяет не только существенно снизить потребление тепла и электроэнергии, но и получить рассаду лучшего качества.
Температура при выращивании рассады
Для получения дружных всходов, до их появления температуру воздуха и субстрата поддерживают на уровне 26—28°С. С появлением 10—15% всходов, постепенно снижают дневную температуру воздуха до 18—19°С, что препятствует сильному вытягиванию сеянцев. После пикировки первые три дня температуру воздуха поддерживают днем на уровне 20—22°С (при досвечивании) и 18—19°С ночью (бездосвечивания). Затем температуру немного снижают и поддерживают до высадки рассады на уровне 18—19°С — днем (при досвечивании) и 16—17’С ночь (без досвечивания). Пониженная температура воздуха способствуе формированию женского пола у растений огурца. С целью смещения пола у растений опылителя в мужскую сторону, температура воздуха поддерживается на более высоком уровне, чем для основного гибрида, примерно на 1-2°С. Температура субстрата в горшке должна быть 20—21С. Разница между дневной и ночной температурой воздуха обеспечивает хорошее развитие корневой системы и стимулирует генеративное развитие.
Досвечивание рассады
При выращивании рассады для зимне-весеннего оборота необходимо искусственное досвечивание растений. Лампы досвечивания включают при появлении 10—15% всходов. Первые три дня досвечивание проводят круглосуточно. Затем, до пикировки — 18 часов в сутки, от пикировки до первой расстановки рассады — 16 часов (во время пикировки сеянцы не досвечивают) после расстановки в течение 10 дней — 14 часов.
Последние 4—5 дней до высадки рассады досвечивание проводят по 12 часов. В последний день перед высадкой в теплицу растения не досвечивают, чтобы рассада привыкла к условиям естественного освещения. Оптимальный уровень освещенности в фазе сеянцев 8000-9000 лк и выше, а в дальней;
шие периоды выращивания не ниже 4000-5000 лк. При освещенности меньше 2000 лк рассада развивается медленно, слабо развивается корневая система. В этом случае удлиняют срок выращивания рассады на 2—4 дня. В настоящее время широкое распространение при выращивании рассады нашли лампы Рефлакс-400 и Рефлакс-600. Они обеспечивают освещенность 9—12 клк и выше. Количество ламп на единицу площади и высоту их подвески (она постоянна) рассчитывают специалисты фирмы “Рефлакс”. Обычно техническая мощность ламп составляет 60—70 Вт/м2.
Питание и полив рассады
Для выращивания рассады требуется рассадная смесь не только с хорошей физической структурой, но и очень питательная. Это связано с тем, что объем рассадной смеси на одно растение ограничен, а вынос питательных элементов достигает больших размеров, в зависимости от ее возраста. Поэтому рассадная смесь должна обладать высокой поглотительной способностью и влагоемкостью. Чаще всего в качестве рассадной смеси используют верховой торф или его смесь с переходным или низинным торфом. Заправляя торф в равных пропорциях доломитовой мукой и мелом мелкого помола доводят рН до 5,6—6,3 единиц. Кроме того заправляют минеральными удобрениями. Для торфа чаще всего используют марку Кемирасупер и Пи Джи Микс. Это комплексные удобрения для основной заправки торфов и торфосмесей.
Видео: Выращивание ОГУРЦОВ в ТЕПЛИЦЕ. Как МАКСИМАЛЬНО продлить плодоношение ОГУРЦОВ. ОМОЛОЖЕНИЕ плетей
Содержание элементов питания в рассадной смеси должно быть: N —150 мг/л, Р — 30 мг/л, К — 165 мг/л, Ме — 85 мг/л, Са 165 мг/л. Ее — 1,3-1,8 мСм/см.
В дальнейшем поливают раствором минеральных удобрений. Сначала горшки напитывают питательным раствором с Ес 1,8 мСм/см. Затем рассаду поливают раствором с Ес 1,8—2,0 мСм/см. Концентрацию элементов питания с возрастом растений постепенно увеличивают, доводя ее к концу рассадного периода до 2,5 мСм/см. Содержание солей и горшке при этом может достигать 3,0—3,5 мСм/см.
Видео: Проблема выращивания огурца в теплице
Агротехника
К высадке рассады теневыносливых гибридов огурца присыпают в начале января. Готовая к высадке рассада огурца должна иметь 4—5 настоящих листьев, высоту надземной части 30—35 см и хорошо развитую корневую систему (корни белого цвета, хорошо оплетающие субстрат). Некачественную и нетипичную рассаду выбраковывают. Густота посадки для пчелоопыляемых гибридов составляет 2,3—2,6 раст/м2, а для партенокарпических 1,8—2,2 раст/м2 в зависимости от сроков высадки, световой зоны, технологии и т.д.
К основному пчелоопыляемому гибриду с высокой насыщенностью женскими цветками необходимо подсаживать растения гибрида-опылителя в количестве до 10—15%. Обычно высадку растений в теплицу начинают с высадки рассады растений-опылителей. Их высаживают или рядами (каждый 10-й ряд, лучше использовать ряды у стоек), или равномерно распределяя по всей теплице (высаживают каждое 10-е растение гибрида-опылителя). В первом случае, зная, где находятся растения гибрида-опылителя, можно формировать их без прищипки главного побега, тем самым, увеличивая выход мужских цветков с растения. Во втором случае мужские цветки распространены более равномерно по теплице, что обеспечивает лучшее опыление.
Температурные режимы поддерживают в следующих пределах: до начала плодоношения — 22—24’С — в солнечную погоду, 19—20°С — в пасмурную, 17—18’С — ночью- после начала плодоношения — 22—25°С — в солнечную погоду, 20—22°С — в пасмурную, 18—19°С — ночью. Такая температура стимулирует полив плодов на главном стебле. Но в условиях слабой освещенности февраля-марта, с целью получения большего количества женских завязей ночью держат температуру 1б—17°С в течение одой недели, повышая затем ночную температуру опять до 18—19°С. Не рекомендуется снижать температуры воздуха ниже 15°С, т.к. это может привести к нарушению нормального хода физиологических процессов. После окончания первой волны плодоношения на главном побеге и при переходе плодоношения на боковые побеги ночную температуру снижают на две недели до 16—17’С. Это усиливает образование женских завязей, ускоряет появление боковых побегов и симулирует ветвление растений. Затем для улучшения налива появившихся завязей ночную температуру в течение 10-12 дней поддерживают на уровне 19—20°С. Относительная влажность воздуха поддерживается в пределах 75—80%.
Формирование растений
Через неделю после посадки начинают подвязку растений к шпалере. Шпагат должен быть достаточно прочным, чтобы выдержать нагрузку. Его длина должна быть на 30-40 см больше расстояния от грунта до шпалеры. Нижний конец шпагата подвязывается свободной петлей (с учетом утолщения стебля) под первым настоящим листом к стеблю растения. Шпагат не должен быть сильно натянут, так как в этом случае при колебании шпалерной проволоки, возможно, повреждение корней у растении. Зачем проводится регулярная обкрутка растения вокруг шпагата по часовой стрелке. Шпагат должен проходить по каждому междоузлию, чтобы не происходило сползание растения.
Видео: Как вырастить огурцы в теплице
При высадке рассады в начале января следует провести ослепление нижних узлов главного стебля. Причем необходимо удалять цветки и боковые побеги в начале их роста. В производственных условиях стараются выполнить эту операцию в один прием, когда в первом-втором узлах идет цветение. Однако следует проводить эту операцию своевременно, в два-три приема, удаляя не цветки, а бутоны, для снижения затрат питательных веществ на цветение цветков, которые впоследствии будут удалены.
Формирование основного пчелоопыляемого гибрида
У растений основного пчелоопыляемого гибрида ослепляется 5—6 нижних узлов, а в годы с низкой естественной освещенностью, а так же на ослабленных растениях следует провести ослепление до 7—8 узлов, а иногда и выше. Боковые побеги в 7—8-ом узлах удаляют, оставляя завязи, причем в этих узлах лучше оставлять по одной завязи, а вторую удалять. В следующих 4—5 узлах появляющиеся боковые побеги прищипывают на 1 лист. В очередных 4—5 узлах (это примерно 13—17-й узлы) главного стебля оставляют боковые побеги, прищипывая их на 2 листа. В самых верхних узлах до шпалеры боковые побеги прищипывают, оставляя по 3 листа. Побеги второго порядка в нижней части растения удаляют. В средней части их прищипывают на 1 лист, а у шпалеры можно оставлять до 2 листьев, — в зависимости от облиственности растений. Если листьев много и они крупные, то в верхней части на побегах второго порядка оставляют 1 лист. По мере улучшения освещенности и увеличения площади листьев на растениях повышают нагрузку плодами. При таком формировании растения напоминают “перевернутую пирамиду”, т.е. постепенно увеличивается нагрузка па главный стебель. В нижней части растения более разреженные, хорошо проветриваются и реже болеют.
Видео: Советы по выращиванию огурцов в теплице
После того как стебель перерастает шпалеру, его верхушку осторожно пригибают к проволоке. Очень важно направить верхушки всех растений в одну сторону. Верхушку растения осторожно закручивают вокруг шпалерной проволоки, делая два оборота. Стебель при этом не должен перегибаться, сминаться и трескаться. Часто, чтобы стебель не перегибался па первом обороте, его подвязывают шпагатом в виде восьмерки к шпалерной проволоке.
Очень важно укладывать верхушки побегов вовремя, не давая им перерастать, так как переросшие побеги теряют гибкость, их сложнее укладывать на шпалеру, чаще получаются “заломы”. Верхушку побега ведут до следующего растения, затем на 1—2 листа опускают вниз и прищипывают. Таким обра;
зом, на шпалере формируется 4-5 листьев. Боковые побеги из первых одной двух пазух листа над шпалерой удаляют, чтобы они не затеняли листья на главном стебле. Так же удаляют побег в последней пазухе листа, так как он будет затенять соседнее растение. Оставляют побеги в двух пазухах соседних
листьев, расположенных в середине между соседними растениями, что позволяет более интенсивно использовать свет. Эти побеги прищипывают через каждые 50 см, а образующиеся на них побеги следующего порядка ветвления прищипывают па 2 листа.
Тщательное формирование растений проводят в течение 2,5-3,0 месяцев после посадки, а с началом массового плодоношения на боковых побегах следят, чтобы боковые побеги не загущали посадки, не выходили в боковые проходы, прищипывая их на 2 листа. Прищипку проводят еженедельно, удаляя только верхушки побегов. Задержки с прищипкой и удаление побегов длиной 5—20 см и более ведут к ослаблению растений, усыханию завязей снижению урожайности, Сухие листья и отплодоносившие побеги удаляют, срезая их острым ноком без оставления “пеньков”. Эту операцию выполняют в солнечную погоду, чтобы места срезов быстро подсохли не являлись “воротами” для проникновения инфекции.
Если в верхней части растений образуются очень крупные листья, которые мешают проникновению света внутрь фитоценоза, то можно провести прореживание, улучшая освещенность нижнего яруса. Эту операцию выполняют только в солнечную погоду, удаляя листовую пластинку, оставляя корешок листа.
При высадке рассады в первую неделю января на главном стебле оставляют не более 11—13 плодов. Количество одновременно наливающихся плодов на растении не более 2—3. Нагрузка плодами увеличивается пропорционально увеличению прихода солнечной радиации и площади листовой поверхности.
